SOI绝缘硅片

159彩票

推荐产品
硅片
>>查看详细
SOI绝缘硅片
>>查看详细
氧化硅片
>>查看详细
159彩票纳米氧化钛(TiO2)
>>查看详细
锑化镓晶片
>>查看详细
锑化铟晶片
>>查看详细
蓝宝石晶片
>>查看详细
锗片
159彩票>>查看详细
滤光片
>>查看详细
砷化镓晶片
>>查看详细
产品展示 网站159彩票 > 产品中心
SOI绝缘硅片

产品编号:JAH-SOI

产品产地:美国

产品描述:

产品介绍

产品简介

       北京嘉安恒科技有限公司专业经营SOI绝缘硅片。SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI' 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

公司能够提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片,高剂量和低剂量SIMOX圆片,并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外,公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。

    顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器,键合技术以及外延设备,顶层硅最薄可达20纳米,最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。

产品规格说明

 

外形尺寸

4"、5"、6"8"

工艺

Smart cut; Bonding; SIMOX

类型

N/P

电阻率

可定制

顶层单晶厚度

0.2250µm

埋氧层厚度

0.44µm

基底层厚度

100500µm

TTV

< 3µm

Paritlce

<10@0.3µm

 

SOI圆片主要有以下特点:
1.提高运行速度
在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。
2。降低能量损耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。
3.改进运行性能
SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。
4.减小封装尺寸
SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。

友情链接:  |     |     |     |   后台管理  |  
 
  CopyRight 2011 All Right Reserved 北京嘉安恒  京ICP备12052793号
  地址:中国·北京市北京市海淀区乐府商务大厦415室 电话:010-88681435 传真:010-58872911
恒发彩票平台 广东快乐十分 盈多多彩票注册 广东11选5走势图 广东11选5开奖结果 广东快乐十分走势图 华夏棋牌app下载 广东11选5APP下载 博客来棋牌 博客来棋牌